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「底打ち」確認のサムスン、歩留まり改善・DRAM供給で反騰を模索
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Joshua Gallagher
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A seasoned journalist with over four decades of experience, Joshua Gallagher has seen the media industry evolve from print to digital firsthand. As Chief Editor of The Economy, he ensures every story meets the highest journalistic standards. Known for his sharp editorial instincts and no-nonsense approach, he has covered everything from economic recessions to corporate scandals. His deep-rooted commitment to investigative journalism continues to shape the next generation of reporters.

Changed

AIラリーで一人だけ業績ショック
今年第2四半期に将来損失を一掃
下半期の業績改善に期待広がる
サムスン電子平沢キャンパスで防塵服を着た従業員がウェーハを持ち上げている/写真=サムスン電子

サムスン電子は今年第2四半期(4~6月)、市場の期待を大きく下回る「業績ショック」を記録した。人工知能(AI)半導体の核心部品であるHBM(高帯域幅メモリ)事業が予想以上に低調であり、赤字縮小が期待されていたファウンドリ(半導体受託生産)でも依然として約14億ドル以上の営業損失が出たためである。ただしサムスン電子は、半導体の在庫引当金を多く積み立てた分、第2四半期を底と見て、第3四半期には確実な反騰を見せると見通した。

市場予想を約7億ドル下回り、DS在庫引当および対中制裁の影響

8日、サムスン電子は暫定業績発表を通じて、今年第2四半期の連結基準売上高が約534億ドル、営業利益が約33億ドルを記録したと明らかにした。昨年同期比で売上高と営業利益はそれぞれ0.1%、55.9%減少した数値だ。第1四半期比では売上高が6.49%、営業利益が31.24%減少した。営業利益は既に引き下げられた市場予想(約45億ドル)を大きく下回った。証券市場では、過去1か月間にサムスン電子の第2四半期予想営業利益の目線を約14億ドルほど急激に下げてきたが、実際の成績はそれをさらに下回った。

第2四半期の業績は、サムスン電子のキャッシュカウである半導体事業の不振で要約される。サムスン電子は暫定業績で事業部門別の実績を具体的に明らかにしていないが、証券業界では半導体(DS)部門の営業利益が約3億ドルにとどまったと見ている。景気が改善していた昨年同期(約46億ドル)比で94%近く急落したのだ。これには在庫引当および先端AIチップに対する対中制裁の影響が大きかった。

特に市場の期待を集めていたHBM事業が足を引っ張った。メリッツ証券のキム・ソヌ研究員は「成長エンジンとなるべきHBMの売上がむしろ前四半期比で減少した可能性がある」とし、「米国顧客による品質認証と受注がいずれも遠い状況」と述べた。AIチップ市場の80%を掌握している「大口」NVIDIAに対してHBM3E(第5世代HBM)12段製品の納品を適時にできず、在庫が積み上がり収益性が悪化した。

HBMだけでなく、他の半導体事業も苦戦した。ファウンドリ・システムLSI事業は約14億ドル以上の営業損失を出したと証券業界は予想している。ファウンドリ事業部は先端プロセスでの顧客獲得に難航し、昨年第4四半期から毎四半期10億ドル超の赤字が続いている。NAND型フラッシュメモリ事業も価格下落により赤字が持続していると推定される。また、半導体はドル建てで決済されるため、6月以降に急落したドル/ウォン為替レートも業績に悪影響を及ぼした。

DRAM価格の急騰、価格交渉力を強化

専門家らは、サムスン電子が直ちに関税の不確実性や弱ドルなどの外的悪材料から抜け出すことは難しいと見ているが、最近のDRAM価格が供給不足で大幅に上昇したことで、下半期の業績改善に期待がかかっている。実際、市場調査会社DRAMエクスチェンジによると、先月のPC用DRAM汎用製品(DDR4 8Gb 1Gx8)の平均固定取引価格は、前月比23.81%上昇した2.60ドルと集計された。4月の22.22%、5月の27.27%に続き、3か月連続で20%以上の急騰となった。

最近のDRAM市場では、廃止予定の旧型製品の価格が新型DDR5よりも急騰するという異常現象が起きている。米国の相互関税90日猶予など関税不確実性とDDR4製品の廃止予告により、顧客企業による在庫備蓄が大幅に増加した結果だ。PC組立企業のDRAM在庫水準は、今年第1四半期末の9~13週間分から第2四半期初には12~15週間分に増加した。一方、DRAM供給企業の在庫水準は同期間に10~16週間から6~13週間に減少し、価格交渉力が高まった。

SKハイニックスに比べて相対的に遅れていたHBMでも、サムスン電子は一定の技術的進展を成し遂げた。第6世代HBMであるHBM4の開発に必要な基盤とされる「1c設計プロセス基盤DRAM」を最近開発したのである。量産が可能かを確認する社内手続きも完了した。1cは現存するDRAMメモリ製造プロセス技術の中で最新であり、1ナノメートル(10億分の1メートル)級で、10nm級プロセスの6段階(1x・1y・1z・1a・1b・1c)の中でも最も微細である。サムスンは半導体生産ラインに1cプロセスを適用し、最新のDRAMを製造し始める計画と伝えられている。これを基にHBM4も開発して市場に投入する計画だ。先月にはHBM4より前世代であるHBM3EをAMDおよびBroadcomに供給することが知られている。サムスン関係者は「改善されたHBM製品が顧客ごとに評価および出荷されている」と述べた。

サムスン電子の最新モバイルAP「Exynos 2500」/写真=サムスン電子

鍵を握るのはファウンドリ市場

先端AIチップに対する対中制裁の悪影響とライン稼働率の低下などで不振だった非メモリ事業も、下半期からは活気を取り戻す可能性がある。特にファウンドリが力を発揮し始めている。先月、サムスン電子はスマートフォンアプリケーションプロセッサ(AP)「Exynos 2500」を自社ホームページで公開し、製品の状態を「量産」と表記して注目を集めた。これは、チップを大量生産できるほど歩留まりが向上したことを意味する。サムスンはExynos 2500を新型Galaxyスマートフォンに搭載する方針だ。9日に公開されるフォルダブルフォン「Galaxy Z Flip7」シリーズから本格展開する。Flip7はExynos 2500の可能性を確認する試金石になると見られている。

来年の先端チップ市場を主導する2ナノメートルプロセスにも死活をかけている。現在、サムスン電子は米国市場で顧客企業との協力とネットワークに積極的に投資し、2nmプロセスの受注活動を進めている。特に、過去の5nm・3nmで約束した性能と歩留まりを満たせずに失った信頼の回復に集中している。最近開催されたシステム半導体エコシステムの年次イベント「SAFE 2025」では、顧客需要が不透明な1.4nm導入は延期し、2nmプロセスに集中するというロードマップも発表された。

鍵となるのは、数十億ドルの投資が必要な米国テイラー工場が本格的に立ち上がる前に、2nmプロセスの歩留まりを安定化させ、現地の顧客企業を確保することである。既存のQualcommだけでなく、サムスン電子が弱点を見せてきたビッグチップ(サーバー用チップファウンドリ)市場で、NVIDIA、AMD、Broadcomなどの大手顧客企業の受注を獲得しなければならない。業界では、2nmプロセスの歩留まりを今後6か月以内に60~70%の水準に引き上げ、顧客が求める性能と価格で供給できるかどうかに、サムスンファウンドリの命運がかかっていると見ている。

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